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DMTH4007SPD-13
2个N沟道 耐压:40V 电流:45A
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- 描述
- 这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH4007SPD-13
- 商品编号
- C5157746
- 商品封装
- TDFN-8-Power
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.158克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.6mΩ@10V,17A | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.026nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 84.8pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
F16N65L是一款高压功率MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
商品特性
- 在栅源电压（VGS） = 10V、漏极电流（ID） = 8A时，漏源导通电阻（RDS(ON)） ≤ 0.52Ω
- 快速开关能力
- 经过雪崩能量测试
- 改善了dv/dt能力，具有高抗扰度
应用领域
-开关电源-适配器