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DMN3018SFG-7
1个N沟道 耐压:30V
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3018SFG-7
- 商品编号
- C5157761
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.094克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 697pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 针对服务器和台式机的同步整流进行优化
- 经过100%雪崩测试
- 卓越的热阻性能
- N沟道
- 额定温度175°C
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤素
应用领域
-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器