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DMP2040UFDF-7
1个P沟道 耐压:20V 电流:13A
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- 描述
- 此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2040UFDF-7
- 商品编号
- C5157762
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.061克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V,8.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 834pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UTC 4N80是一款N沟道功率MOSFET，采用UTC先进的平面条纹和DMOS技术，可为客户提供服务。该技术专门用于实现最低导通电阻和卓越的开关性能。它还能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。 UTC 4N80广泛应用于高效开关电源。
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(on) = 3.0 Ω
- 高开关速度
- 改进的dv/dt能力
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- 高效开关电源