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D3R6N30
耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- D3R6N30是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。先进的技术和单元结构使该产品具有低导通电阻、出色的开关性能和高雪崩击穿电压。该产品广泛应用于不间断电源和逆变系统的电源管理领域。
- 品牌名称
- 晶导微电子
- 商品型号
- D3R6N30
- 商品编号
- C5156807
- 商品封装
- TO-252W
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 82W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.414nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 206pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- RDS(ON)(典型值) 3.6mΩ @ VGS = 10V,ID = 20A
- 快速开关能力
- 经过雪崩能量测试
- 改善的dv/dt能力,高耐用性
- 低栅极驱动电压
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理