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F7N65L
耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- F7N65L是一款高压功率MOSFET，具备更优良的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用中。
- 品牌名称
- 晶导微电子
- 商品型号
- F7N65L
- 商品编号
- C5157084
- 商品封装
- TO-220F-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
F7N65L是一款高压功率MOSFET,具备更优异的特性,如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用中。
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 3.5A条件下,RDS(ON) \leq 1.3Ω
- 快速开关能力
- 经过雪崩能量测试
- 改善的dv/dt能力,高抗扰性
应用领域
- 开关电源
- 适配器
- F7N70
- F5N65
- SST14HE
- LQM2MPZ2R2MG0L
- 2304372-1
- JSW6-33DR+
- 009155002201006
- 500762-1001
- CKPK0406-2.5uH/Min-UT-P2.5
- CKPK0506-100uH/K-U2.3
- CKPK0507-120uH/K-U10
- CKPK0511-100uH/Min-U2.5-82.5T
- CKPK0608-100uH/K-U3
- CKPK0608-1.1mH/K-U5.5
- CKPK0608-2mH/K-U15
- CKPK0608-300uH/K-U15
- CKPK0608-33uH/K-U3.5
- CKPK0608-4.7mH/K-U3.3
- CKPK0608-680uH/K-U3.3
- CKPK0608-850uH/K-U15
- CKPK0810-1mH/K-U3.4