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F5N65
耐压:650V 电流:5A
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- 描述
- F5N65是一款高压功率MOSFET，旨在具备更优异的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用中。
- 品牌名称
- 晶导微电子
- 商品型号
- F5N65
- 商品编号
- C5157088
- 商品封装
- ITO-220ABW
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1Ω@10V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 43W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源导通电阻 RDS(ON) ≤ 30 mΩ，条件为栅源电压 VGS = 10 V，漏极电流 ID = 4 A
- 漏源导通电阻 RDS(ON) ≤ 35 mΩ，条件为栅源电压 VGS = 4.5 V，漏极电流 ID = 4 A
- 漏源导通电阻 RDS(ON) ≤ 55 mΩ，条件为栅源电压 VGS = 2.5 V，漏极电流 ID = 3 A
- 高速开关
- 用于低漏源导通电阻 RDS(ON) 的高密度单元设计
- 沟槽功率低压 MOSFET 技术
- 负载开关
- PWM 应用
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