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D4N70
耐压:700V 电流:4A
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- 描述
- D4N70是一款高压功率MOSFET，旨在具备更优良的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用中。
- 品牌名称
- 晶导微电子
- 商品型号
- D4N70
- 商品编号
- C5157063
- 商品封装
- TO-252W
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
F5N65是一款高压功率MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
商品特性
- 在栅源电压（VGS） = 10V、漏极电流（ID） = 2.5A时，漏源导通电阻（RDS(ON)） ≤ 2.1 Ω
- 快速开关能力
- 经过雪崩能量测试
- 改善的dv/dt能力，高抗扰性