温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
F16N65L
耐压:650V 电流:16A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- F16N65L是一款高压功率MOSFET，旨在具备更优异的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用中。
- 品牌名称
- 晶导微电子
- 商品型号
- F16N65L
- 商品编号
- C5157070
- 商品封装
- TO-220F-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.43克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 61W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.66nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(on)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-极低的栅极阈值电压VGS(TH),最大1.0V-低输入电容-快速开关速度-超小型表面贴装封装-超低封装高度,最大封装高度0.4mm-栅极具备ESD保护-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-符合AEC-Q101高可靠性标准
应用领域
-DC-DC转换器-电源管理功能