CA-IS3020G

CA-IS302x 系列产品为完备的双向、双通道数字隔离器，提供 3.75kV_RMS (窄体封装)、5kV_RMS (宽体封装) 电气隔离，以及高达 ±150kV/μs 的典型 CMTI。所有器件的输入采用施密特触发器，提高抗干扰能力。每个隔离通道的数字输入与输出通过二氧化硅 (SiO₂) 绝缘层隔离，提供较高的电磁干扰抑制和低 EMI 特性。高集成度设计仅需两个外部 VDDA、VDDB 旁路电容和上拉电阻，即可构成 I²C 隔离接口。 这些双通道数字隔离器可支持 DC 至 2.0MHz 传输速率，CA-IS3020 提供两路双向、开漏输出隔离通道，用于支持多主机 I²C 等需要在同一总线双向传输数据或时钟的双向隔离应用；CA-IS3021 则提供一路单向和一路双向隔离通道，可支持单主机 I²C 隔离应用，单向通道用作时钟 (SCL) 隔离，双向通道用作数据 (SDA) 隔离。器件 A 侧 (V_DDA)、B 侧 (V_DDB) 单独供电，供电电压范围为 3.0V 至 5.5V。 CA-IS302x 系列产品可工作在 -40°C 至 +125°C 温度范围，提供 8 引脚窄体 SOIC 封装和 8 引脚宽体 SOIC 及 16 引脚宽体 SOIC 封装。较宽的工作温度范围和较高的隔离耐压，可理想用于强干扰的工业环境。 CA-IS302x 双通道数字隔离器提供完备的双向数字隔离方案，可承受高达 3.75kV_RMS (窄体封装) 或 5kV_RMS (宽体封装) 隔离电压，并具有 ±150kV/μs 典型 CMTI。这些双向数字隔离器不同于简单的两路单向隔离器并联方案，从根本上解决了低电平闭锁问题，且无需外部防死锁电路，有效节省尺寸和功耗。器件输入采用施密特触发器以提高抗干扰能力，数字通道的逻辑输入与输出之间采用电容隔离 (SiO₂)。该系列产品中，CA-IS3020 提供两路双向传输、开漏输出的数字隔离，以满足多主机 I²C 总线的数据、时钟隔离需求；CA-IS3021 包含 1 路单向传输通道和 1 路双向传输通道，分别用于单主机 I²C 总线中的时钟 (SCL) 和数据 (SDA) 线隔离。所有器件支持高达 2.0MHz 的数据速率，隔离器两侧的逻辑电平分别由电源电压 V_DDA、VDDB 确定，供电范围为 3.0V 至 5.5V。 CA-IS302x 采用电容隔离技术，与电感隔离相比，可提供更低功耗、更小的传输延时与信号抖动，具有更好的电磁辐射抑制，进而支持更高的信号传输速率。为了构建双向传输通道，CA-IS302x 在每个双向通道集成了两个单向通道，双向通道的输出采用漏极开路输出，以满足标准 I²C 接口的要求。A 侧用于连接 I²C 节点的低电容负载，允许最大负载电容为 40pF；B 侧用于连接 I²C 总线节点的高电容负载，允许最大负载电容为 400pF。 在双向传输隔离通道中，为了放置总线闭锁，A 侧输出采用一个特殊的缓冲器，将逻辑低电平输出电压调整在大约 700mV，而逻辑低电平输入的最高电压为 400mV。内部迟滞比较器通过检测 SDAA、SCLA 引脚的低电平电压，确定逻辑低电平是来自输入，还是隔离器的输出。通过比较器判断，可以避免将 A 侧输出的低电平错误地作为逻辑低电平输入而接受，并将其传送到 B 侧输出，由此规避了总线闭锁问题。隔离器 B 侧采用传统的缓冲器，不对逻辑低电平电压做任何调整。隔离器一侧的逻辑低电平输入将使另一侧对应引脚的电平拉低。 I²C 总线通过 2 线接口实现不同 IC (系统控制器、远端传感器、激励器等电路) 之间的数据通信，2 线接口包括一条数据线 (SDA) 和一条时钟线 (SCL)，允许多个从机器件连接在同一总线，且不需要片选信号。由于总线上只有一条数据线，需要工作在半双工模式，即在任意时间段只能发送数据或只能接收数据，数据线需要支持双向传输。而对于多主机系统，则要求数据线和时钟线均支持双向传输。CA-IS302x 系列数字隔离器可提供两路双向传输通道 (CA-IS3020) 或一路用于数据的双向传输通道和一路用于时钟的单向传输通道 (CA-IS3021)，以满足 I²C 总线的隔离要求。I²C 总线工作在标准模式、快速模式或高速模式，最大速率分别对应于 100kbps、400kbps 和 1.7Mbps (C_bus = 400pF)。CA-IS302x 数字隔离器可支持最高 2.0MHz 的工作频率，满足绝大多数 I²C 应用的需求。

• 支持 DC 至 2.0MHz 双向数据传输可靠的数字信号电气隔离
• 较长的工作寿命：>40 年
• 提供 3.75kV_RMS (窄体封装) 和 5.0kV_RMS (宽体封装) 电气隔离
• ±150kV/μs 典型 CMTI
• 施密特触发输入提高抗干扰能力
• 较高的电磁抑制，可承受 ±10kV 浪涌
• ±8kV ESD 保护 (人体模式)
• 开漏输出：A 侧可支持最高 3.5mA 灌电流，B 侧可支持最高 35mA 灌电流
• 3.0V 至 5.5V 宽压工作范围
• 较宽的工作温度范围：-40°C to 125°C
• 窄体 SOIC8 - NB(S) 封装
• 宽体 SOIC8 - WB(G) 封装
• 宽体 SOIC16 - WB(W) 封装

• I²C, SMBus, PMBus 接口
• 电机控制系统
• 医疗设备
• 电池管理系统
• 仪器仪表