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SI4425DDY-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:19.7A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg测试。应用：负载开关。 笔记本电脑
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4425DDY-T1-GE3
- 商品编号
- C553962
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.8mΩ@10V,13A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；5.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.61nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
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