温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIR882ADP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:60A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用：DC/DC初级侧开关。 电信/服务器48V，全/半桥DC/DC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR882ADP-T1-GE3
- 商品编号
- C553986
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 5.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.5nC@7.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.975nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- DC/DC原边开关
- 电信/服务器48V全/半桥DC/DC
- 工业领域
- SI8499DB-T2-E1
- SI3456DDV-T1-E3
- SI7149ADP-T1-GE3
- SUD23N06-31-GE3
- SI1467DH-T1-GE3
- IHLP2020BZER2R2M11
- MMA02040C1000FB300
- DG412DY-T1-E3
- IHLP1212BZER1R0M11
- IHLP2020CZER3R3M01
- MMA02040C1001FB300
- SFH6156-1T
- SMCJ60CA-E3/57T
- TCLT1600
- SMCJ48CA-E3/57T
- RS1D-E3/61T
- IHLP4040DZER2R0M11
- SS13-E3/61T
- BAT54-E3-08
- SB360-E3/54
- SS10PH10-M3/86A