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SI7149ADP-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:23.1A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET，低导通电阻，低压降。 扩展的VGS最大额定值：25V。 100% Rg和UIS测试。应用：电池、负载和适配器开关。 笔记本电脑
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7149ADP-T1-GE3
- 商品编号
- C554002
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.248克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43.1nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.125nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 554pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 615pF |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 低导通电阻，实现低压降
- 扩展VGS最大额定值：25 V
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 电池、负载和适配器开关
- 笔记本电脑
- 笔记本电脑电池组