SI2309CDS-T1-E3
1个P沟道 耐压:60V 电流:1.6A
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- 描述
- 特性:有无卤选项。 TrenchFET功率MOSFET。应用:负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2309CDS-T1-E3
- 商品编号
- C553975
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 345mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 210pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 提供无卤选项
- 深沟道场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
应用领域
- 负载开关
- SI7884BDP-T1-E3
- SI7149DP-T1-GE3
- SI7625DN-T1-GE3
- SIR882ADP-T1-GE3
- SI8499DB-T2-E1
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- TSOP6238TT
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