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SI7625DN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:35A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用：笔记本适配器开关。 笔记本负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7625DN-T1-GE3
- 商品编号
- C553985
- 商品封装
- PowerPAK-1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.077克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V,35A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.427nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 430pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
P沟道30 V（D - S）MOSFET采用TrenchFET®功率MOSFET技术，对Rg和UIS进行100%测试。PowerPAK 1212 - 8是基于PowerPAK SO - 8的衍生封装，利用相同封装技术最大化芯片面积，芯片底部附着垫暴露，为安装的基板提供直接低电阻热路径。其封装尺寸小，与TSOP - 6面积相当，比标准TSSOP - 8小超40%，芯片容量是标准TSOP - 6的两倍多，热性能比SO - 8好一个数量级，比TSSOP - 8好20倍，能利用PCB板散热能力，降低结温可使芯片效率比TSSOP - 8提高约20%，单双版本引脚输出与PowerPAK SO - 8相同，1.05 mm的低矮高度适合空间受限应用。
商品特性
- TrenchFET®功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 笔记本适配器开关
- 笔记本负载开关