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SI7615ADN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:35A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen II p- 沟道功率 MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。应用：适配器开关。 电池开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7615ADN-T1-GE3
- 商品编号
- C553966
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.59nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 183pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET
- 进行100%栅极电阻（Rg）和非钳位感应开关（UIS）测试
应用领域
- 适配器开关
- 电池开关
- 负载开关