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SI7461DP-T1-GE3
1个P沟道 耐压:60V 电流:14.4A
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- 描述
- 特性：沟槽式场效应管功率MOSFET。 低热阻。 低1.07mm外形的PowerPAk封装
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7461DP-T1-GE3
- 商品编号
- C553968
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.248克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 190nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻PowerPAK封装,高度仅1.07 mm