温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MDD08N10A
N沟道增强型MOSFET，具备优质软体二极管性能
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 小封装信号MOSFET产品，N沟道，耐压：100V，电流：8A, Rdson：67mR 可用于负载开关，电源管理等应用。
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD08N10A
- 商品编号
- C54157840
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 67mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.7nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 171pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用了MDD半导体先进的功率沟槽工艺技术制造。该工艺经过优化，可将导通电阻降至最低，同时凭借一流的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 5A时，最大RDS(on) = 85mΩ
- 低反向恢复电荷Qrr
- 无铅电镀
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- DC-DC转换器
- 电源管理