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NE035PG
P沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，低栅极电荷，具良好散热性
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- 描述
- P管/60V/30A/35MΩ/(典型28MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- NE035PG
- 商品编号
- C54157856
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.247597克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.69V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.535nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS）为 -60V，漏极电流（ID）为 -30A，在栅源电压（VGS）为 -10V 时，导通电阻（RDS(ON)）小于 35mΩ（典型值为 28mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保器件可选
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能良好
- 湿度敏感度等级为 3 级（MSL3）