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NC006DNG-B
双N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低栅极电荷和出色导通电阻，散热良好
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- 描述
- N+N管/30V/50A/6MΩ/(典型4.8MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- NC006DNG-B
- 商品编号
- C54157861
- 商品封装
- DFN-8D(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.431545克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.55V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.614nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 245pF |
商品概述
这款双N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于各种应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 50A，RDS(ON) < 6mΩ @ VGS = 10V（典型值：4.8mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保器件可选
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低RDS(ON)
- 出色的封装，散热良好
- MSL3