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ND013DNG

ND013DNG

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描述
N+N管/40V/25A/13MΩ/(典型10MΩ)
商品型号
ND013DNG
商品编号
C54157863
商品封装
DFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V
耗散功率(Pd)34.7W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)16.9nC@10V
输入电容(Ciss)1.1nF
反向传输电容(Crss)80pF
工作温度-50℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)110pF

商品概述

这些双N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

商品特性

  • VDS = 40V,ID = 25A,RDS(ON) = 13mΩ(VGS = 10V时)
  • 改善了dv/dt能力
  • 快速开关
  • 100%保证EAS
  • 有绿色环保器件可选

数据手册PDF