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NE035DNG
双N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，低栅极电荷，散热性好
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- 描述
- N+N管/60V/20A/27MΩ/(典型21MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- NE035DNG
- 商品编号
- C54157866
- 商品封装
- DFN-8D(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.322222克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@12V | |
| 耗散功率(Pd) | 21W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.67V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@12V | |
| 输入电容(Ciss) | 990pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
这款双N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于各种应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 20A，RDS(ON) < 27mΩ（在VGS = 10V时，典型值为21mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保器件可选
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低RDS(ON)
- 出色的封装，散热良好
- MSL3