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NH100PG-C
P沟道MOSFET采用先进沟槽技术，低栅极电荷，适用于多种应用
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- 描述
- P管/100V/20A/100MΩ/(典型80MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- NH100PG-C
- 商品编号
- C54157860
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.140556克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.077nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 119pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS）为 -100V，漏极电流（ID）为 -20A，在栅源电压（VGS）为 -10V 时导通电阻（RDS(ON)）小于 100mΩ（典型值：80mΩ）
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 出色的封装，具有良好的散热性能
- 湿度敏感度等级（MSL）为 3 级