温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NC009PG
P沟道MOSFET采用先进沟槽技术，低栅极电荷，散热好，适用于多种应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- P管/30V/60A/9MΩ/(典型6.6MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- NC009PG
- 商品编号
- C54157803
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.319149克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 370pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 410pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -60A，在VGS = -10V时RDS(ON) < 10mΩ（典型值：6.6mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低RDS(ON)
- 出色的封装，散热性能良好