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NC002NG
N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，低栅极电荷，散热性好
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- 描述
- N管/30V/140A/2MΩ/(典型1.7MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- NC002NG
- 商品编号
- C54157797
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135294克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 82W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.064nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 471pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 573pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（Rds(on)）和低栅极电荷。它可用于各种应用。
商品特性
- 漏源电压（Vds） = 30V，漏极电流（Id） = 140A，当栅源电压（Vgs） = 10V时，漏源导通电阻（Rds(on)） < 2mΩ
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（Rds(on)）
- 出色的封装，散热性能良好