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DOZ4605
N+P沟道MOSFET采用先进沟槽技术设计，具备低栅极电荷和出色散热性能
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- 描述
- N+P管/20V/25A/10.5MΩ/(典型8MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOZ4605
- 商品编号
- C54110289
- 商品封装
- DFN-8D(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4616克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 157pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道：VDS = 20V，ID = 25A，RDS(ON) < 10.5mΩ（在VGS = 4.5V时，典型值为8mΩ）
- P沟道：VDS = -20V，ID = -20A，RDS(ON) < 20mΩ（在VGS = -4.5V时，典型值为15mΩ）
- 低栅极电荷。
- 有环保器件可选。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）。
- 出色的封装，散热性能良好。
- MSL3