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AIDK12S65C5ATMA1-HXY

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描述: 该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为12A，反向重复峰值电压为650V，正向导通压降典型值为1.3V，反向漏电流为50μA，表现出优异的导通效率与低漏电特性。其非重复浪涌正向电流能力达90A，具备良好的瞬态耐受能力。基于碳化硅材料的特性，该器件在高频开关应用中可显著降低损耗，适用于对效率、稳定性和热性能有较高要求的电源转换系统。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AIDK12S65C5ATMA1-HXY
商品编号: C53468088
商品封装: TO-263
包装方式: 编带
商品毛重: 1.916667克(g)

商品参数

参数完善中