AIDK12S65C5ATMA1-HXY
碳化硅肖特基二极管,适用于高频应用,具备低导通损耗、低开关损耗和高浪涌电流能力
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流为12A,反向重复峰值电压为650V,正向导通压降典型值为1.3V,反向漏电流为50μA,表现出优异的导通效率与低漏电特性。其非重复浪涌正向电流能力达90A,具备良好的瞬态耐受能力。基于碳化硅材料的特性,该器件在高频开关应用中可显著降低损耗,适用于对效率、稳定性和热性能有较高要求的电源转换系统。
- 商品型号
- AIDK12S65C5ATMA1-HXY
- 商品编号
- C53468088
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.916667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅二极管 | |
| 二极管配置 | - | |
| 整流电流 | 30A | |
| 正向压降(Vf) | 1.55V@12A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流反向耐压(Vr) | 650V | |
| 反向电流(Ir) | 50uA@650V | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 90A | |
| 工作结温范围 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该产品系列提供了先进的性能。它专为需要高效率和高可靠性的高频应用而设计。
商品特性
- 由于低正向电压(VF),导通损耗低
- 由于微小的电荷(QC),开关损耗极低
- 由于更好的浪涌电流能力,具有高鲁棒性
- 具备工业标准的质量和可靠性
应用领域
- 不间断电源(UPS)
- 功率逆变器
- 高性能开关电源(SMPS)
- 功率因数校正
相似推荐
其他推荐
- WNSC2D10650XQ-HXY
- IDH08SG60CXKSA2-HXY
- IDH08SG60CXKSA1-HXY
- RHRP860-F085-HXY
- RHRP860-R4647P-HXY
- GP3D010A065A-HXY
- ISL9R860P2-HXY
- GP2D010A065A-HXY
- WNSC2D08650TJ-HXY
- VS8ETH06HN3-HXY
- RJS6004TDPP-EJ#T2-HXY
- SIT10C065-HXY
- SCS215AGHRC-HXY
- WNSC2D10650Q-HXY
- NXPSC10650Q-HXY
- PSC0665KQ-HXY
- FMXA-1106S-HXY
- WNSC2D10650TJ-HXY
- LFUSCD10065A-HXY
- VS8ETH06-N3-HXY
- FFPF04H60STU-HXY
