WNSC2D10650XQ-HXY

WNSC2D10650XQ-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.37V，在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流（IFSM）。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下仍能保持优异的开关性能与稳定性，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换系统。其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升整体电路效率并简化散热设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

WNSC2D10650XQ-HXY

商品编号

C53468089

商品封装

TO-220F-2L​

包装方式

管装

商品毛重

2.788克(g)