VS8ETH06HN3-HXY

VS8ETH06HN3-HXY

描述

该碳化硅二极管为独立式结构，具备8A的额定正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），典型正向压降（VF）为1.38V，同时可承受高达88A的非重复浪涌正向电流（IFSM）。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下展现出较低的导通损耗与快速恢复性能，适用于高效率电源转换、开关模式电源及类似对热稳定性和动态响应有较高要求的电路拓扑中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

VS8ETH06HN3-HXY

商品编号

C53468101

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.18克(g)