IDH08SG60CXKSA1-HXY

碳化硅肖特基二极管，零反向恢复电流和正向恢复电压，高频运行，开关特性与温度无关

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.38V，在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流（IFSM）。其基于碳化硅材料特性，具备低导通损耗与优异的高频开关性能，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场合。器件结构设计支持稳定可靠的运行表现，适合集成于高密度电力电子系统中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IDH08SG60CXKSA1-HXY

商品编号

C53468092

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.164克(g)