UGE8JT-E3/45-HXY

UGE8JT-E3/45-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为8A，最大反向重复峰值电压达650V，正向导通压降典型值为1.38V，具备优异的导通特性。其非重复浪涌正向电流能力高达88A，可有效应对瞬态过载条件。器件基于碳化硅材料，具有低开关损耗与高热稳定性，在高频、高效率电源转换场景中表现突出，适用于对能效和可靠性要求较高的电力电子系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

UGE8JT-E3/45-HXY

商品编号

C53468087

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.06克(g)