IDL06G65C5XUMA2-HXY

IDL06G65C5XUMA2-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.32V，在浪涌条件下可承受高达60A的非重复峰值正向电流（IFSM）。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场合。其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升系统整体能效与响应速度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IDL06G65C5XUMA2-HXY

商品编号

C53468008

商品封装

DFN-5B(8x8)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)