DSC06C065D1-13-HXY

碳化硅肖特基二极管，适用于高频应用，具有低导通损耗、低开关损耗和高浪涌电流能力

描述

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复电压（VR）达650V，典型正向压降（VF）为1.3V，反向漏电流（IR）仅为50μA，表现出优异的导通效率与阻断能力。其非重复浪涌正向电流（IFSM）为48A，适用于高频率、高效率要求的电源转换场合。凭借碳化硅材料特性，器件在开关过程中几乎无反向恢复电荷，有助于降低系统损耗并提升整体运行稳定性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DSC06C065D1-13-HXY

商品编号

C53468011

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.4克(g)