RHRD660S9A-F085-HXY

RHRD660S9A-F085-HXY

描述

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复电压（VR）达650V。其正向压降（VF）典型值为1.3V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为50μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受48A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频开关电源、功率因数校正电路以及各类高效电能转换系统，在高效率与高可靠性要求的场景中表现突出。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

RHRD660S9A-F085-HXY

商品编号

C53468021

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.404克(g)