GP3D010A065D-HXY

GP3D010A065D-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.3V，反向漏电流（IR）为50μA，非重复浪涌正向电流（IFSM）可达80A。器件利用碳化硅材料的物理特性，在高频工作条件下保持较低的导通损耗和优异的热稳定性，适用于高效率电源转换、开关模式电源及对体积与散热有较高要求的电力电子应用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

GP3D010A065D-HXY

商品编号

C53468041

商品封装

TO-263​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)