IDT08S60C-HXY

IDT08S60C-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）为650V，适用于中高功率的电力电子应用。其正向压降（VF）典型值为1.38V，在导通状态下的功耗较低；同时具备88A的非重复浪涌正向电流（IFSM）能力，可有效应对瞬态过流条件。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频运行和较高结温环境下仍能保持稳定的电气性能，适合用于对效率、热管理和动态响应有明确要求的电源系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IDT08S60C-HXY

商品编号

C53468056

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.088克(g)