SDT08S60-HXY

SDT08S60-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向电压（VR）达650V。其正向压降（VF）为1.38V，在导通状态下具有较低的功率损耗。器件可承受高达88A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频开关电源、功率因数校正电路以及对效率和热性能要求较高的电力转换系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SDT08S60-HXY

商品编号

C53468054

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.108克(g)