BSDH06G65E2-HXY

BSDH06G65E2-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.68V，在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流（IFSM）。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温工作环境中展现出优异的稳定性和效率，适用于对开关性能和热管理要求较高的电源转换系统。其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升整体电路能效与响应速度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

BSDH06G65E2-HXY

商品编号

C53468029

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.144克(g)