VS4C06ET07THM3-HXY

VS4C06ET07THM3-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.36V，在浪涌条件下可承受高达66A的非重复峰值正向电流（IFSM）。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下表现出较低的导通损耗与优异的开关性能，适用于对效率和热管理有较高要求的电源转换场合。其电气参数组合使其在紧凑型高功率密度设计中具备良好的适配性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

VS4C06ET07THM3-HXY

商品编号

C53468014

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.044克(g)