VS4C06ET07T-M3-HXY

VS4C06ET07T-M3-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复电压（VR）为650V，典型正向压降（VF）为1.36V，非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）可达66A。基于碳化硅材料的特性，器件具备快速恢复能力、较低的导通损耗以及良好的高温工作性能，适用于高效率、高频率的电源转换场合，尤其在对热管理和动态响应有较高要求的电路中表现突出。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

VS4C06ET07T-M3-HXY

商品编号

C53468013

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.016克(g)