WNSC6D106506Q-HXY

WNSC6D106506Q-HXY

描述

该碳化硅二极管为独立式配置，具有10A的额定正向电流（IF）和650V的最大反向重复电压（VR），典型正向压降（VF）为1.38V，可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。基于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出较低的导通损耗和优异的热稳定性，适用于高效率电源转换、开关电源及功率因数校正等应用场合，有助于提升系统整体能效与可靠性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

WNSC6D106506Q-HXY

商品编号

C53468009

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

2.976克(g)