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G2021
自举工作浮地通道的高压高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺，集成欠压锁定和防直通死区逻辑
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- G2021
- 商品编号
- C53436211
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.246167克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
G2021是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺，使高、低侧栅驱动电路可单芯片集成。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V，且需要额外的自举电路支持。高侧与低侧均包含欠压保护功能。该芯片采用SOP8封装，可在 -40℃ ~ 125℃温度范围内工作。
商品特性
- 自举工作的浮地通道
- 最高工作电压为 +250V
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- dVS/dt耐受能力可达±50V/ns
- Vs负偏压能力达 -9V
- 栅极驱动电压从6V到20V
- 集成欠压锁定电路
- VCC欠压锁定正向阈值5.5V
- VCC欠压锁定负向阈值5V
- VBS欠压锁定阈值3.6V
- 防直通死区逻辑
- 死区时间设定200ns
- 芯片传输延时特性
- 开通/关断传输延时Ton/Toff = 150ns/140ns
- 延迟匹配时间50ns
- 宽温度范围 -40℃ ~ 125℃
- 输出级拉电流/灌电流能力1.2A/1.5A
- 符合RoHS标准
- SOP8封装
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- 微型逆变器驱动