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SiLM27624LNCA-DG
双通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关
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- 品牌名称
- Sillumin(数明半导体)
- 商品型号
- SiLM27624LNCA-DG
- 商品编号
- C52975859
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.229868克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 5A | |
| 拉电流(IOH) | 5A | |
| 工作电压 | 4.5V~30V | |
| 上升时间(tr) | 7ns | |
| 下降时间(tf) | 6ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.8V~2.3V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV~1.2V | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 功能特性 | 交错导通保护 |
商品概述
SiLM27624LN是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。其设计本身可最大程度减小直通电流，能够为容性负载提供高峰值电流脉冲的拉电流和灌电流，具备轨到轨驱动能力和极小的传播延迟（典型值为20ns）。在12V的VDD电源电压下，该器件可提供5.0A拉电流和5.0A灌电流的峰值驱动能力。
商品特性
- 两个独立的栅极驱动通道
- 5.0A峰值拉电流和5.0A峰值灌电流驱动能力
- 快速传播延迟（典型值20ns）
- 快速上升和下降时间（典型值7ns和6ns）
- 4.5V至30V单电源电压范围
- 欠压锁定保护
- 兼容TTL和CMOS的输入逻辑阈值
- 输入端可承受-5V负电压
- 两通道间典型延迟匹配为2ns
- 可并联两个输出以获得更高驱动电流
- 输入悬空时输出保持低电平
- 工作温度范围为-40℃到150℃
- SOP8封装
应用领域
- 开关模式电源
- 电机控制
- 太阳能发电
- 新兴宽带隙功率器件的栅极驱动