NSG5183

自举工作的浮动通道高压高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，集成保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容CMOS或LSTTL逻辑输出电平

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品牌名称: WXNSIC(国硅集成)
商品型号: NSG5183
商品编号: C52975935
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.216克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；全桥；高边；半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4.3A
	拉电流(IOH)	4.3A
	工作电压	10V~17V
	上升时间(tr)	12ns
	下降时间(tf)	12ns

商品概述

该高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片具有两个独立的传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护功能，并具备大电流脉冲输出能力。其逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，最大输出电流能力可达4.3A，浮地通道最高工作电压为700V。适用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。

商品特性

自举工作的浮动通道
最高工作电压为700V
兼容3.3V，5V输入逻辑
dV/dt耐受能力可达±50 V/nsec
Vs负压耐受能力达-9V
栅极驱动电压范围：9V到18V
高、低侧欠压锁定电路
欠压锁定正向阈值8.8V
欠压锁定负向阈值8.3V
芯片开通/关断传输延时
Ton/Toff = 120ns/120ns
高低侧延时匹配
驱动电流能力：拉电流/灌电流 = 4.3A / 4.3A
符合RoHS标准SOP8封装

应用领域

电信和数据通信电源
半桥和全桥转换器
推挽式转换器
高压同步降压转换器
电机控制
电动助力转向系统
D类音频放大器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	-
	输入低电平(VIL)	-
	静态电流(Iq)	-
	功能特性	欠压保护