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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
XJNG2103C
高压高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，具有独立高低侧参考输出通道，兼容多种输入逻辑，采用高低压兼容工艺，集成欠压锁定电路和防直通死区逻辑
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- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- XJNG2103C
- 商品编号
- C52975878
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.262278克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1.5A | |
| 拉电流(IOH) | 1.2A | |
| 工作电压 | 5V~20V | |
| 上升时间(tr) | 50ns | |
| 下降时间(tf) | 40ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 190uA | |
| 功能特性 | 交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，具备独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺，将高、低侧栅极驱动电路集成于单芯片。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出级具备大电流脉冲能力，并集成防直通的死区逻辑。其浮地通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，最高工作电压可达+250V。采用SOP8封装，工作温度范围为-40°C ~ 125°C。
商品特性
- 支持自举工作的浮地通道
- 最高工作电压为+250V
- 兼容3.3V, 5V和15V输入逻辑
- dV/dt抗扰度可达±50 V/ns
- Vs负偏压能力达-9V
- 栅极驱动电压范围从5V到20V
- 集成欠压锁定电路
- 具备防直通死区逻辑
- 开通/关断传输延时Ton/Toff =150ns/140ns
- 延迟匹配时间为50ns
- 工作温度范围-40°C ~ 125°C
- 输出级拉电流/灌电流能力为1.2A/1.5A
- 符合RoHS标准
- 采用SOP8封装
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- 微型逆变器驱动