- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NSG27712
单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片，具备高侧和低侧配置、双输入、输出互锁和死区时间功能，有保护功能，采用先进高压器件技术，适用于自举或隔离式电源操作
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- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- NSG27712
- 商品编号
- C52975934
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.366克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 5A | |
| 拉电流(IOH) | 4.5A | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 15ns | |
| 下降时间(tf) | 9ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.2V~2.6V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV~1.5V | |
| 静态电流(Iq) | 240uA | |
| 功能特性 | 交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
NSG27712是一款700V高侧和低侧栅极驱动器，具备4.5A拉电流和5A灌电流能力，专为驱动功率MOSFET或IGBT而设计。对于IGBT，建议的VCC工作电压范围为10V至20V；对于功率MOSFET，建议的VCC工作电压范围为10V至17V。该器件集成了保护功能，当输入保持开路状态或未满足最小输入脉宽规范时，输出将保持低电平。其互锁和死区时间功能可防止两个输出同时导通。此外，该器件支持宽泛的偏置电源范围，并为VCC和VB偏置电源提供欠压锁定保护。它采用先进的高压工艺技术，具有强大的驱动能力，以及卓越的抗噪声和瞬态干扰性能，包括较大的输入负电压容差、高dV/dt容差、开关节点上较宽的负瞬态安全工作区。该器件包含一个接地基准通道和一个悬空通道，后者专为自举电源或隔离电源操作设计。它具有快速的传播延迟和出色的通道间延迟匹配。每个通道由各自的输入引脚HIN和LIN独立控制。
商品特性
- 高侧和低侧配置
- 双输入，带输出互锁和300ns死区时间
- 在高达680V的电压下完全可正常工作，VB引脚最高电压为700V
- VCC建议工作电压范围为10V至20V
- 峰值输出电流为5.0A灌电流、4.5A拉电流
- 50V/ns的dV/dt抗扰度
- VS引脚上的逻辑运行电压高达-11V
- 输入负电压容差为-10V
- 宽大的负瞬态安全工作区
- 为两个通道提供欠压锁定保护
- 延迟匹配（典型值20ns）
- 设计用于自举操作的悬空通道
- 低静态电流
- TTL和CMOS兼容输入
- 行业标准SOP-8封装
- 所有参数额定温度范围为-40℃至+125℃
应用领域
- 电机驱动
- 离线交流/直流电源中的桥式转换器
- 适用于服务器、电信、IT和工业基础设施的高密度开关模式电源
- 直流到交流逆变器