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NSG6022
自举工作的高压高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，集成保护电路，具备大电流脉冲输出能力，可驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件
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- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- NSG6022
- 商品编号
- C52975932
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 5A | |
| 拉电流(IOH) | 4.5A | |
| 工作电压 | 5V~20V | |
| 上升时间(tr) | 15ns | |
| 下降时间(tf) | 10ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV | |
| 静态电流(Iq) | 260uA | |
| 功能特性 | 交错导通保护；死区时间控制 |