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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NSG2203S
自举工作的浮地通道高压高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，具独立输出通道，兼容多电平输入逻辑，集成欠压锁定和防直通死区逻辑
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- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- NSG2203S
- 商品编号
- C52975879
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.367333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4.5A | |
| 拉电流(IOH) | 4.5A | |
| 工作电压 | 8V~20V | |
| 上升时间(tr) | 12ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 8ns | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.4V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV | |
| 静态电流(Iq) | 460uA | |
| 功能特性 | 交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
NSG2203S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，具备独立的高侧和低侧参考输出通道。该芯片采用高低压兼容工艺，使得高、低侧栅驱动电路可集成于单芯片。其逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出级具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达+250V。芯片采用SOP8封装，工作温度范围为-40℃ ~125℃。
商品特性
- 自举工作的浮地通道
- 最高工作电压为+250V
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- dVs/dt耐受能力可达±50V/ns
- Vs负偏压能力达-6V
- 栅极驱动电压从6V到20V
- 集成欠压锁定电路
- VCC欠压锁定正向阈值6.9V
- VCC欠压锁定负向阈值6.5V
- VBS欠压锁定正向阈值6.9V
- VBS欠压锁定负向阈值6.5V
- 防直通死区逻辑
- 死区时间设定250ns
- 芯片传输延时特性
- 开通/关断传输延时Ton/Toff=350ns/100ns
- 延迟匹配时间50ns
- 宽温度范围-40℃ ~125℃
- 输出级拉电流/灌电流能力4.5A/4.5A
- 符合RoSH标准
- SOP8封装
应用领域
- 电机驱动
- DC-DC转换器