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IPB025N10N3 G
IPB025N10N3 G
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB025N10N3 G
- 商品编号
- C536489
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | - |
商品概述
650V CoolMOS CFD7A集成了快速体二极管，可用于PFC和诸如ZVS移相全桥和LLC等谐振开关拓扑。
商品特性
- 市场上最新的具备集成快速体二极管的650V汽车级技术，具有超低反向恢复电荷（Qrr）
- 最低的品质因数RDS(on)*Qg和RDS(on)*Eoss
- 100%雪崩测试
- 在SMD和THD封装中拥有同类最佳的导通电阻RDS(on)
应用领域
- 单向和双向DC-DC转换器-车载电池充电器