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BSC0911ND
BSC0911ND
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC0911ND
- 商品编号
- C534389
- 商品封装
- TISON-8-EP(6x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 双N沟道OptiMOSTM MOSFET
- 针对高性能降压转换器进行优化
- 逻辑电平(额定4.5V)
- N沟道
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤