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BSC120N03MS G
1个N沟道 耐压:30V 电流:11A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC120N03MS G
- 商品编号
- C534411
- 商品封装
- TDSON-8-EP(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 针对5V驱动器应用(笔记本电脑、VGA、负载点电源)优化
- 用于高频开关电源的低开关品质因数
- 经过100%雪崩测试
- N沟道
- 在VGS = 4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积(品质因数)
- 符合JEDEC标准,适用于目标应用
- 卓越的热阻性能
- 无铅镀层;符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21标准的无卤要求